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GaN IPM相关
基于TI GaN FET的10kW单相串式逆变器的设计注意事项
2025-07-12
英飞凌300毫米GaN制造路线图的进展
2025-07-11
GaN代工模型是否面临问题？Innoscience参与台积电2027退出
2025-07-11
瑞萨电子推出用于AI数据中心、工业及电源系统的全新GaN FET
2025-07-08
台积电退出后英飞凌加快GaN推进 今年四季度将提供300毫米晶圆样品
2025-07-08
650V GaN器件在高功率应用中对SiC构成挑战
2025-07-04
台积电无预警退出GaN市场 纳微有望接手美国订单
2025-07-04
瑞萨推出全新GaN FET，增强高密度功率转换能力
2025-07-02
GaN FET支持更高电压的卫星电源
2025-07-01
Wise计划将GaN和数字控制器封装在一起
2025-06-30
采用3D芯片设计的更快、更节能的电子设备
2025-06-19
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2025-06-15
R课堂 | IGBT IPM的热关断保护功能（TSD）
2025-06-11
如何在开关模式电源中运用氮化镓技术
2025-06-09
纳芯微高压半桥驱动NSD2622N：为E-mode GaN量身打造高可靠性、高集成度方案
2025-06-03
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